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AM29LV160DT-70EC
- Fabricant
- Mfr. Partie #AM29LV160DT-70EC
- Paquet
- Fiche de données
- En stock10921
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Spécifications
| Manufacturer | AMD(Advanced Micro Devices) |
| Package | TSOP-48 |
Vue d'ensemble
Description
This flash memory is designed for reprogrammable and erasable applications, capable of being programmed in blocks or sectors. It supports standard erase and programming algorithms, ensuring ease of integration into various systems. With a maximum access time of 70 ns, it provides quick read performance, making it suitable for a wide range of embedded applications.
The AM29LV160DT-70EC is commonly used in consumer electronics, automotive systems, and telecommunications equipment, where reliability and efficiency are critical. Its compatibility with various protocols allows for easy interfacing with microcontrollers and other digital devices. Overall, this device is a versatile choice for applications that require fast, non-volatile memory.
Features
1. Organization: It supports a 16-bit wide data bus and can operate in either 8-bit or 16-bit modes.
2. Access Time: It has a maximum access time of 70 ns, allowing for fast read operations.
3. Voltage Range: Operates at a supply voltage of 2.7V to 3.6V, suitable for low-power applications.
4. Sector Architecture: The memory is divided into sectors for flexible erase capabilities, with 16 sectors of 128 KB each.
5. Programming Method: Utilizes a 2.7V to 3.6V programming process, enabling in-system programming and reprogramming.
6. Endurance and Retention: It offers up to 100,000 program/erase cycles with a data retention period of 20 years.
7. Compatibility: Supports common programming interfaces like Intel and AMD compatible command sets.
These features make the AM29LV160DT-70EC ideal for embedded systems, consumer electronics, and telecommunications applications.
Package
Pinout
Pin Functions:
1. A0-A19: Address inputs to select memory locations.
2. DQ0-DQ15: Data input/output pins for data transfer.
3. WE: Write Enable, controls write operations.
4. RST: Reset pin, initiates a reset of the device.
5. CE: Chip Enable, activates the memory chip.
6. OE: Output Enable, controls data output.
7. Vcc: Supply voltage pin.
8. Vss: Ground pin.
9. BYTE: Selects between 8-bit or 16-bit data bus width.
10. NC: Not Connected, no internal connection.
This device supports sectors, allowing for flexible memory management and bulk erase capabilities.
Manufacturer
Application
Equivalent
1. W39V160FB - Winbond
2. S29GL128N - Cypress
3. M29W160EB - STMicroelectronics
4. AT49BV160 - Atmel (now part of Microchip)
Ensure to check specific voltage and programming interface compatibility when considering replacements.
Expédition
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