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AM29F800BB-70EF
NOR Flash 8M (1MX8/512KX16) Parallel NOR Fl 5V
- Fabricant
- Mfr. Partie #AM29F800BB-70EF
- Paquet
- Fiche de données AM29F800BB-70EF DataSheet
- En stock10742
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Spécifications
| Packaging | Tray |
| Standard Pack Qty | 96 |
Vue d'ensemble
Description
Key characteristics include a maximum access time of 70 nanoseconds, enabling fast data retrieval, and a range of programming options that include single-byte or full chip programming. The device supports a range of erase types, including sector and chip erase, enhancing its versatility in various applications.
The AM29F800BB-70EF is primarily used in embedded systems, consumer electronics, and automotive applications, where reliable non-volatile storage is essential. Its durability and low power consumption make it suitable for applications requiring frequent read and write cycles. Overall, this flash memory chip is a reliable component for developers looking to integrate substantial non-volatile memory into their designs.
Features
1. Density: 8 Megabits (1 Megabyte) of memory.
2. Organization: Supports 8-bit and 16-bit data interfaces.
3. Access Time: Offers a maximum access time of 70 ns.
4. Voltage: Operates at 2.7V to 3.6V for read and program, and 11.4V to 12.6V for erase operations.
5. Program/Erase Cycles: Supports 10,000 program/erase cycles per sector.
6. Sector Architecture: Contains 64 sectors of 16 Kbytes each.
7. Data Retention: Retains data for over 20 years at 125°C.
8. Software Control: Features a command set for programming, erasing, and reading data.
9. Compatibility: Compatible with various microcontroller environments.
10. Packages: Available in multiple packages, including 44-pin PLCC and 48-pin TSOP.
These features make the AM29F800BB-70EF suitable for applications requiring non-volatile storage, such as embedded systems and consumer electronics.
Package
Pinout
Key pin functions include:
1. Address Pins (A0 - A19): Used to select the memory locations for read, program, or erase operations.
2. Data Pins (DQ0 - DQ7): Bi-directional data bus for data input/output.
3. Chip Enable (CE): Activates the chip for read or write operations.
4. Output Enable (OE): Controls output data from the device.
5. Write Enable (WE): Allows writing to the memory.
6. Reset (RESET): Resets the device to its default state.
7. VCC: Power supply.
8. GND: Ground connection.
The device operates at a maximum access time of 70 ns, providing fast read and write capabilities for embedded applications.
Manufacturer
AMD is recognized for its innovation in computing technology and has become a significant competitor in the market for CPUs and GPUs, particularly in the personal computing and data center sectors. The AM29F800BB-70EF is a type of flash memory, specifically a NOR flash memory, commonly used in embedded systems and applications requiring reliable non-volatile storage.
Application
Equivalent
Expédition
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Paiements
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