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6EDL04N02PR
Gate Drivers 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
- Fabricant
- Mfr. Partie #6EDL04N02PR
- Paquet
- Fiche de données 6EDL04N02PR DataSheet
- En stock3920
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Spécifications
| Packaging | MouseReel |
| Standard Pack Qty | 3000 |
Vue d'ensemble
Description
Key features include built-in protection against overcurrent and overtemperature, ensuring reliable operation. Additionally, the module supports a wide operating temperature range, enhancing its usability in various environments. The compact design and integration capabilities make it an ideal choice for compact power electronics solutions. Its use of advanced semiconductor technology ensures high efficiency and minimal switching losses, contributing to overall system performance.
In summary, the 6EDL04N02PR is a robust and efficient solution for driving IGBTs in demanding applications, balancing performance, safety, and ease of integration.
Features
1. High Voltage Capability: Supports a gate voltage range up to 20V, making it suitable for high-power applications.
2. Integrated Bootstrap Function: Simplifies the driving of high-side switches without the need for additional components.
3. High-Speed Switching: Capable of driving at high frequencies, enhancing overall system efficiency.
4. Built-in Protection: Includes fault protection features like under-voltage lockout (UVLO) and over-temperature protection to ensure reliable operation.
5. Dual-Channel Output: Supports both high-side and low-side driving capabilities in a compact package.
6. Isolation Features: Provides electrical isolation, improving safety in high-voltage environments.
7. Compact Design: The small footprint allows for easy integration into various circuit layouts.
This driver is ideal for applications in industrial automation, motor drives, and renewable energy systems.
Package
Pinout
Pin Functions:
1. VDD: Supply voltage for the gate driver.
2. GND: Ground connection.
3. VBS: Bootstrap supply voltage for high-side operation.
4. VS: Source connection for the high-side MOSFET.
5. HO: High-side output to drive the MOSFET gate.
6. LO: Low-side output to drive the MOSFET gate.
7. IN: Input for the low-side gate drive signal.
8. INH: Input for the high-side gate drive signal.
9. RBIAS: Bias resistor connection.
10. NFAULT: Fault indication output.
11. CS: Current sensing input.
12. COM: Common connection for the current sense.
13. DIAG: Diagnostics output.
14. RISO: Isolation resistor connection.
15. VREF: Reference voltage output.
16. N/C: No connect.
This IC is typically used in applications such as motor drives, power supplies, and inverter circuits.
Manufacturer
Application
Equivalent
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