2301H

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2301H

P30V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<

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  • Mfr. Partie #2301H
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  • En stock3084

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Spécifications

Supplier Goford Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 125mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 12 nC @ 2.5 V
Vgs(Max) ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 405 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 1W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage SOT-23-3

Expédition

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